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东大微电子专业2012初复试题目回忆

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发表于 2012-4-26 18:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 WH_lanfeng 于 2014-4-11 20:25 编辑

         东大微电子专业2012初复试题目回忆:
             ——考完三个多月了,回忆的很不全,欢迎大家补充
初试笔试:半导体
题型:填空、简答、计算。注意:没有名词解释。重题率很少很少。题目比较注重理解。
1、填空:半导体导电性与__、__、__密切相关,答案貌似是温度、光照、湿度。
2、填空:计算Ge的一个参数,貌似是状态密度有效质量。直接公式
3、填空:点接触和面接触二极管哪个适合大功率哪个适合高频
4、简答:热载流子那一块。
5、简答:si Ge能带图,重载流子判断(貌似考到了)
6、简答:影响二极管导电性的因素有哪些。
7、计算:一根半导体棒,从左到右是P型浓度10的4次方,n型浓度10的4次方,n型浓度10的6次方,让画出能带图计算耗尽区
宽度等等。
8、计算:给了个图,让列连续性方程并写出边界条件。
总之:140+ = 半导体课本认认真真理解六遍+PPT+真题+计算器(考试时一定记得带)
          课后练习多做做,我这有课后练习前五章答案。

复试笔试:电子技术基础
题型:填空、计算。填空题比较有难度,其他不难,给人的感觉是知识面覆盖面比较广,属于面面俱到型。
模拟:
1、填空:一个运放和电容组成的低通滤波器要求写出传输函数,通频带放大倍数。当w>>1/RC问电路什么作用。
2、填空:二极管动态电阻的计算、三个电源和两个二极管组成电路,先判断二极管状态再计算二极管动态电阻。
3、计算:一个两级放大求输入输出电阻放大倍数等等,说出第一级作用,只要掌握三种基本组态就很简单。
数字:
1、填空:触发器的分类
2、填空:加法器,问了下两种求进位的方法异同。
3、计算:给了两个逻辑式要求化简,必须采用公式法。
4、计算:两个D触发器实现一个状态图,很简单。
5、计算:DA转换,第一问给出原理图说出原理,第二问给一模拟量要求画出DA转换图形。
总之:模电课本多理解,数电找本习题册把各种题型都见见。
          数电西电的那本很薄的习题册很不错,好像才100多页,数电大题题型很全面。
          模电童诗白和东大本校那本很好。

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     楼主| 发表于 2012-4-26 18:56 | 只看该作者
    沙发自己坐...{:soso__5663373028670280397_3:}
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    发表于 2012-4-26 23:40 | 只看该作者
    夏天坐板凳凉快啊!
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    发表于 2012-5-6 21:45 | 只看该作者
    学长好人!!
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    发表于 2012-5-11 15:41 | 只看该作者
    楼主好人,能不能留个QQ啊
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     楼主| 发表于 2012-5-12 09:42 | 只看该作者
    静静地跑 发表于 2012-5-11 15:41
    楼主好人,能不能留个QQ啊

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    发表于 2012-7-24 12:14 | 只看该作者
    {:soso_e130:}楼主好人
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    发表于 2013-1-1 12:04 | 只看该作者
    谁能告诉我想考射光所,考哪些内容啊,是和考ASCI   MEMS一样么
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    发表于 2014-4-11 19:47 | 只看该作者
    楼主给力啊~!
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    发表于 2015-4-8 19:07 | 只看该作者
    好人一生平安!
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