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[报考交流] 北大微电子复试题目

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发表于 2013-1-29 15:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
发信人: zongzi (粽子), 信区: IME
标  题: Re: 05面试题
发信站: 北大未名站 (2008年09月30日10:52:38 星期二) , 站内信件

我也贴下题
深圳:
半导体:请问pn结的作用和用途
器件:肖特基势垒的形成条件,能带图,以及欧姆接触的形成条件
电路:分析两个传输门电路的输出电平,并且比较两个电路的传输时间
【 在 denglin (昔人已乘黄鹤去) 的大作中提到: 】
: 以供大家欣赏:
: 深圳:
: 半导体:给出掺杂浓度,少子寿命,产生率,问过剩载流子浓度
: 器件:写出肖特基势垒的原理,以及欧姆接触的条件
: 电路:锁存器和触发器的优缺点,画出一个锁存器
: ULSI:
: 半导体:界面陷阱电荷对高频CV曲线的影响
: 器件:比较两个串连MOS和一个两倍大的MOS的各种二级效应
: 数电:画一个动态电路,分析缺点怎样解决

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 楼主| 发表于 2013-1-29 15:09 | 显示全部楼层
为什么没人回贴呢,自己顶
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发表于 2013-1-29 15:06 | 显示全部楼层
我日,各种数模电
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