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西安电子科技大学电气考研招生情况、分数线、报录比分析 关于西安电子科技大学电气工程硕士考研信息汇总，了解一下！ 西安电子科技大学是以信息与电子学科为主，工、理、管、文多学科协调发展的全国重点大学，直属教育部，是国家“优势学科创新平台”项目和“211工程”项目重点建设高校之一、国家双创示范基地之一、首批35所示范性软件学院、首批9所示范性微电子学院、首批9所获批设立集成电路人才培养基地和首批一流网络安全学院建设示范项目的高校之一。 学校是国内最早建立信息论、信息系统工程、雷达、微波天线、电子机械、电子对抗等专业的高校之一，开辟了我国IT学科的先河，形成了鲜明的电子与信息学科特色与优势。现有2个国家“双一流”重点建设学科，2个国家一级重点学科(覆盖6个二级学科)，1个国家二级重点学科，34个省部级重点学科，14个博士学位授权一级学科，26个硕士学位授权一级学科，具有工程博士专业学位授权，有17个硕士专业学位授权点，9个博士后科研流动站，55个本科专业。全国第四轮一级学科评估结果中，3个学科获评A类：电子科学与技术学科评估结果为A+档，并列全国第1;信息与通信工程学科位于A档;计算机科学与技术学科评估结果为A-档，学校电子信息类学科继续保持国内领先水平。 一、考试科目（1）所属学院：机电工程学院 学科名称：电气工程（080800）——学术学位 考试科目 ①101 思想政治理论 ②201 英语一 ③301 数学一 ④843 自动控制原理 研究方向 学科方向：01电机与电器 01 电力电子与电力传动、新型逆变电源、电力系统自动化 02 嵌入式系统、信息处理 03 电力电子系统的磁电集成技术 复试科目 （二选一） 9243 基础综合知识十三（电力电子技术、微机原理） 9244 基础综合知识十四（电力电子技术、现代控制理论） （2）所属学院：微电子学院 学科名称：电气工程（080800）——学术学位 考试科目 ①101 思想政治理论 ②201 英语一 ③301 数学一 ④801 半导体物理与器件物理基础 或 843自动控制原理 研究方向 01 电力电子与电力传动 二 、参考书801 半导体物理与器件物理基础 《半导体物理学》（第七版）刘恩科，电子工业出版社2011； 《半导体物理与器件》（第四版）赵毅强等译，电子工业出版社2013 843自动控制原理 《自动控制原理》（第二版）千博等，西电科大出版社； 《自动控制理论》（第二版）刘丁，机械工业出版社 资料推荐： 历年真题、课后习题、整理的笔记、模拟题 三、分数线/其他1. 西安电子科技大学电气近几年的录取分数线： 2. 西安电子科技大学电气2019年的录取情况统计如下： 四、西安电子科技大学801考研经验贴
哈哈哈哈哈，应学姐邀约写一下自己考研的经验贴，希望对20年考研西电801的同学有所帮助。
先说一下我的基本情况。本科西电微院。考的也是西电微院的微固专业，全称微电子学与固体电子学，有优研（对于19年考研来说有优研作用不太大，听说20年会取消优研计划）。总分：364，政治：69，英语：67，数学：109，专业课：119。主要说说专业课复习过程吧。（如果有小伙伴对其他科目复习过程有兴趣的话可以私聊我） 专业课材料：半导体物理学课本（刘恩科第七版）+半导体物理与器件课本（赵毅强第四版）+真题+老柴笔记+自己总结 半导体物理学题型：填空+选择+分析+计算 器件物理题型：名词解释（19年有之前偶尔有）+填空（之前有19年我记得没有）+分析+计算 专业课我是根据自己的情况10月中旬开始复习的。先系统的把半导体物理课本从第一章仔细阅读到第五章，然后把柴老师的笔记从头到尾抄了一遍，抄的过程中自己试着去推导一些重要的公式，比如:状态密度、电子空穴浓度计算式等。最后在网上查找一些相关的资料，对柴老师的笔记做一补充。当自己有一定基础后，把课本后边的习题仔细做一下，尤其是柴老师上课重点讲过的题目。然后大概十一月初仔细把近几年第一部分半物真题自己先做一遍，然后将题型分类再对照参考答案将真题重新在笔记本上整理一遍，主要是看每个内容考察的频次然后标记重点。最后就是归纳、补充、记忆。（最好是有一个同样考801的小伙伴，遇到不会的题目时大家可以商量一下） 就针对19年半物考试内容而言：填空考察和往年差不多好多都是往年考过的内容；选择是多选一，都是考察一些基本知识，只要仔细分析我觉得选择题问题不大。分析题主要还是考察重点内容，半导体能级、状态密度、载流子浓度分布五个区、非平衡载流子连续性方程式等。计算题重点在计算间并和非间并情况下载流子浓度及电导率计算、所给条件下半导体所处温度、处于什么区、各种情况下的连续性方程式的化简（19年计算没考） 对于器件物理由于内容比较少，我是直接看一遍上课时老师给的PPT，然后去做往年真题，根据往年真题划出重点考试内容，然后再回归课本进行内容补充。 19年半物考试题目总结：名词解释很基础不会很偏，比如沟长调制效应、速度饱和、雪崩击穿、闩锁效应等；（如果有填空，往年真题中填空都是很基础的概念）；重点放在分析，阈值电压、平带电压影响因素、各种状态下的能带图、MOS电容高频与低频曲线等，非理想因素等。还有一些很细的知识，比如热电子效应，辐射效应、衬底偏置效应等对阈值电压影响，19年还考察了小信号等效电路，分析源极电阻对跨导的影响。19年计算很基础，记住基本公式即可。比如饱和非饱和电流公式、阈值电压和平带电压公式。 PS：器件物理19年题型变化很大，考察内容变得多而细，一个大分析题下边会有五个左右的小问题，都是阐述型题目，所以时间会变得很紧。其实最好的是能拿到器件的往年期中考试题，我发现19年器件题型和我们当初期中考试题型特别像，考察内容也很像。 在19年专业课考试中明显第二部分器件题量加大，考察的内容也很细。因此自己最后答完试卷（当时计算题还没有计算结果）只剩了五分钟，所以匆匆口算了半导体物理的计算结果，其实对于半导体物理计算来说前面的数字不是很重要，最主要是看最后的数量级。 小技巧:题目变多，半导体物理的计算题可以先把每一步的计算公式写出来，不必着急计算，直接去做第二部分器件。当全部做完时若时间还多可用计算器去进行计算，若时间很紧，可直接使用数量级进行结果估计。数量级准确很重要。
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发表于 2019-8-15 16:20
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