2017上交874真题回忆

wang_2822 · 发表于 2016-12-25 22:49

1.已知两块半导体电子浓度之比为e，第一块的费米能级在导带下3kt，问第二块的费米能级位置和两块的空穴浓度之比
2.求锗中电子的平均自由时间和自由程
3.光生载流子稳定注入情况下的载流子的浓度表达式
4.什么是异质结，表面电导，半导体发光
5.pn结的最大电场强度，电容和电流
6.三极管能带图，最大内建电场
7.求阈值电压和漏极电流

来自iPhone客户端

等秋叶 · 发表于 2016-12-25 23:45

1.两种硅材料，n1/n2=e，Ef1位于导带下3kt，（1）求Ef2的位置（2）p1/p2
2.已知迁移率，有效质量，速度，求平均渡越时间和平均自由程。
3.一块均匀半导体材料，左半边光照，产生率g，求n（x ），画图。
4.什么是异质结？表面电导率受哪些因素影响？什么是半导体发光？
5.（1）求pn结Emax（2）求电容（3）正向电压1V时的电流。
参数代入公式计算就行
6.（1）画出均匀基区pnp不同工作区的能带图
（2）求缓变基区的基区渡越时间，若基区浓度线性变化，NB（0）=10★17，NB （Wb ）=10★10，Wb =2um，求内建电场最大值。
7.求Vt，代入公式算就行，然后求Id

来自iPhone客户端