2015年浙江大学836材料科学基础真题

CAROTE

2015年浙江大学836《材料科学基础》考研真题再现一  填空题（每空2分，一共30分）

1  玻璃的假想温度：淬火高，退火低

2  描述非晶态金属最成功的模型是：硬球无规密堆模型

3  硫系半导体的特点：        

4  原子的扩散时，经过：简单立方 点阵，扩散系数是a2F1/6

5  长光学纵波频率：大于  长光学横波频率

6  声子是什么       

7  微观对称要素：滑动面，螺旋轴

8  给你个六元环结构，问你判据值是：1，结构为：六元环结构

9  高分子晶体属于：分子晶体 类型

10  左右螺型位错在相同力的作用下，其位错运动方向：向相反且垂直于作用力 的方向运动

二  解析题（一共五题，每题24分，总分120分）

1  根据泡林规则分析MgO晶体。

  （1）确定正负离子的配位数，并确定MgO结构以及画出图？

  （2）计算MgO的晶体密度？

  （3）计算MgO晶体堆积系数？

   其中：Mg半径=0.66A，O半径=1.32A，Mg的摩尔质量:24.3，O的摩尔质量：16。

2  对一种BCC的钢在氮气中进行渗碳处理，通常需要在600度（873K）下2个小时完成。

  （1）如果现在想改变温度在1小时内完成，则渗碳温度需要控制为多少？

  （2）如果氮气浓度为2%，试计算在600度（873K）下2小时处理后钢在表面下0.05cm

   处氮气的含量？                 

   气体常数R=1.987cal/mol k，扩散常数D0=0.0047 cm2/sec，激活能=18300 cal/mol 。

3  一种铜的典型位错密度为106 cm/cm3，如果存在1000g这样的铜。

  （1）试求出这块铜内位错线总长度？

  （2）试给出这种铜内位错线总长度随铜块（重量）增大的关系式并画出相应的关系图？

   其中：（铜的密度：8.93 g/cm3）

4 MgF2和LiF是两种不同的材料。MgF2为金红石结构，LiF为NaCl结构，其中RMg=0.65A，RLi=0.68A,因此，Mg可以溶在LiF中，Li也可以溶在MgF2中。

  （1）分别写出Mg溶在LiF和Li溶在MgF2中缺陷反应方程？

  （2）确定分别形成了什么缺陷？并写出掺杂后的分子表达式？

  （3）若在LiF和MgF2分别加入5% mol的MgF2和LiF，试计算两种掺杂后的晶体密度？

   并与掺杂前对比密度增加还是减少了多少？

   其中：MgF2 的a=4.64A，C=3.06A；LiF a=4.0279A；Li摩尔质量：6.941；Mg摩尔质量：24.305；F摩尔质量：18.9984；阿伏伽德罗常数：6.023*1023

5  是课本251页的第二题。他给出了光学支的最大频率。

  （1）恢复力常数？

  （2）光学支最小频率？

  （3）声学支最大频率？

  （4）声学支最小频率？

来源: 2015年浙江大学836材料科学基础真题

我叫黄思瑜

你好，请问浙大考的是哪个版本的材料科学基础

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