2014 半导体物理真题回忆

RU影随形D老 · 发表于 2014-1-5 17:40

题型填空（30）名词解释（30）证明画画（90）大题:1.画MOSEFT剖面图，输出曲线，转移曲线，分析工作原理 2.画pnp的共基组态共射组态输出曲线并标出饱和截止放大区 3.画出mos的三种能态图（积累，耗尽，反型）n p 都要画 4.从能带理论说明金属半导体绝缘体导电的不同 5.证明爱因斯坦方程 6，证明金半（n）接触加反向偏压下，杂质的情况 (式子不好打) 名词解释 1.霍尔 2.Early 3.简并半导体4.施主受主5. 欧姆接触6. 填空 1.（）反应在电场下运动难易的物理量，()反应在浓度梯度下运动难易的物理量，它们的关系是（）2.散射包括（）（）。3.ni=n0p0,在（）状态下成立，nopo的乘积与杂质浓度是否有关（），与温度是否有关（）。4.电子占据的半满带能带最高的叫（），没被电子占据的能带能量最低的是（），这两个能带之间没有啥啥的区域叫（）5. 6. 求补充，纠正！