2013天大微电初试笔试半导体试题

Ukee扣扣 · 发表于 2013-4-12 15:42

本人今年考天大，落榜，调剂到了北京的一学校。因为在论坛上收获很多，所以分享一下初试试题。有想调剂的同学也可以问我。

我考的半导体物理，说实话今年的题比每年都难，好多题都没见过。当然也是自己学的不精，不然也就会了。

2013年天津大学微电子初试试题（半导体物理部分）

1. 隧道二极管的所有性质，试卷问的非常仔细，方方面面都考到了。
2. 深能级杂质，包括电离等性质。
3. 理想PN结，理想MIS。
4. 定义：有效质量，空穴，准费米能级，欧姆接触，简并半导体。（这是名词解释的所有题）
5. 应变硅异质结。
6. 光电池的开路电压，短路电流，相应的图像，最好掌握推导过程。
7. 如何制作硅太阳能电池和光伏探测器。（这是新题，从未出现过）
8. 宽禁带半导体和窄禁带半导体做的激光器。
9. 重掺杂的N AL GaAs 与GaAs相比为什么有高的迁移率。N AL GaAs书上有两处相关概念，今年全都考到了。
10. 计算题算空穴浓度，就是书上的公式直接套就行，非常简单。第二个计算题有点难度，涉及到了连续性方程，如果把书上所有的连续性方程包括解法相关性质都掌握，那这个题也是很好求的。

复试没有参加，所以学长只能帮你到这了。祝好。