874回忆

龚小胖 · 发表于 2015-12-29 20:39

答案仅代表我个人的思路，小渣渣，希望攒点人品考上。考的微纳
1：先问的半导体的杂质补偿作用。
一定温度的半导体，平衡电子浓度是xx，受主杂质浓度是NA=xx，本征载流子浓度ni=xx，设Ef=Ed，问
(1)平衡少子浓度。P=ni²/n
(2)施主杂质浓度。N》P，是N型半导体ND-NA=N
(3)电离杂质浓度和中性杂质浓度。nd+=ND/（2+exp（ef-ed））=1/3ND，nd=ND-nd+=2/3ND
2.一n型si半导体，光照，产生率g，寿命τ，电子浓度n0=xx，问
（1）室温下电导率。
σ=nqμ+△pqμp，n=n0+△n，△n=gτ
（2）准费米能级位置，和原来的费米能级比较
n=niexp（Efn-Ei/kt），n=n0exp（Efn-Ef/kt)
3.(1)外加强电场下，载流子的平均运动速度和那些因素有关？
（温度，有效质量，场强）不知道对不对
（2）简述热电效应?包括哪些效应？简要叙述。
交换电能和热能。赛贝克，汤姆逊，柏珥帖
4.一锗pn结，给出锗的Nno，Ppo，ni；两个结在室温下的电阻率ρ=xx。问内建电势和势垒区宽度
Vbi=kt/q Ln（NA ND/ni²），Pno=ni²/Nno，
ND q μn +Pno q μp=1/ρ算出ND,NA
Xd=√{（2ε/qN0 ）Vbi}
5.先画出NPN在放大区的少子载流子浓度分布图
室温下一si npn缓变基区晶体管，给出Wb，NB，NC,DB，DE，AE，τb，发射区电子浓度QEO/q
问(1）发射结效率。γ=1-DE QB0/DB QE0，QB0=AE q WB NB
（2）共射极放大系数。Β=α/1-α。α=Β*γ
（3）Vbc=xx时，厄利电压等于多少
VA=2Wb Vbi/xdb，xdb=xp
6.影响短沟道效应的主要因素
一N沟mos管，Vgs=5v，Vt=1v，Vds=2v，源极和漏极的金半接触电阻各为500Ω
(1)漏极电流。Id=β【（Vgs-Vt）Vds-1/2Vds²】
(2)在上述条件下，漏极电压为多少？