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[考研真题] 2001-2003年北京科技大学材料学真题(转)

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发表于 2015-8-5 17:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
2001北京科技大学攻读硕士研究生入学考试试题

考试科目:金属学A
适用专业:科学技术史,冶金物理化学,钢铁冶金,有色金属,材料加工工程。
说明:1.试题必须写在答题纸上。
2.统考生做1--10题;单考生做1--7题和11--13题。
[]1.名词解释:(每小题2分,共10分)
1)单胞和复合单胞 2)金属键 3)代位固溶体 4)位错 5)偏聚和有序化
2.判断对错:---------------------------------------------------------------------。(10分)
3.以液态无限互溶、固态有限溶解并具有共晶反应的二元相图为例说明二元相图的制作方法和二元相图的一般几何规律。(10分)
4.结晶后的组织中产生显微偏析的原因是什么?采用什么措施能减弱和消除偏析。(10分)
5.什么是晶界?讨论晶界在多晶体形变过程中的作用。(10分)
6.什么是相界面?复相合金形变的特点是什么?(10分)
7.说明使多晶体晶粒细化能使材料的强度提高、韧性增加的原因。(10分)
8.简要叙述马氏体转变的一般特点。(10分)
9.要想获得粗大的再结晶晶粒可采取什么措施,说明原因。(10分)
10.简述固态相变在相变阻力、新相形核、新相成长方面的特点。(10分)
11.什么叫再结晶?什么是再结晶温度?简要描述再结晶过程。(10分)

2002北京科技大学攻读硕士研究生入学考试试题

考试科目:金属学A
适用专业:科学技术史,冶金物理化学,钢铁冶金,有色金属,材料加工工程。
说明:1.试题必须写在答题纸上。
2.统考生做1--9题;单考生做1--6题和10--12题。
[]一.名词解释(20分,每个2.5分)
(1)点阵畸变 (2)柏氏矢量 (3)相图 (4)过冷度
(5)形变织构 (6)二次再结晶 (7)滑移系 (8)孪生
二.画出立方晶系中(111)面、(435)面。写出立方晶系空间点阵特征。 (10分)
三.铸锭的一般组织可分为哪几个区域?写出其名称。并简述影响铸锭结晶组织的因素。(10分)
四.画图并简述形变过程中位错增殖的机制。(10分)
五.写出菲克第一定律的数学表达式,并说明其意义。简述影响扩散的因素。(10分)
六.简述形变金属在退火过程中显微组织、存储能及其力学性能和物理性能的变化。(10分)
七.简述固态相变与液态相变的相同点与不同点。(10分)
八.画出铁碳相图,标明相图中各特征点的温度与成分,写出相图中包晶反应、共晶反应与共析反应的表达式。(10分)
九.分析再过程中行核和张大与凝固过程中的行核和张大有何不同点。(10分)
十.分析含碳量0.12%的铁碳合金的结晶过程。(10分) (单考生做)
十一.简述铸锭的宏观偏析。(10分)(单考生做)
十二.简述金属晶体中缺陷的类型。(10分)(单考生做)

2003北京科技大学攻读硕士研究生入学考试试题

考试科目:金属学A
适用专业:科学技术史,冶金物理化学,钢铁冶金,有色金属,材料加工工程。
说明:带三角板等,统考生做1--11题;单考生做1--7题和12--15题。

[]1.名词解释:
(1)刃型位错和螺型位错模型 (2)晶界与界面能
(3)同分凝固与异分凝固 (4)形变织构
(5)二次再结晶 (6)淬透性与淬硬性
2.简述二元系中共晶反应、包晶反应和共析反应的特点;并计算其各相平衡时的自由度。(12)
3.什么是点阵参数?正方晶系和立方晶系的空间点阵特征是什么?画出立方晶系中(1 2 -3)的晶面。(12)
4.凝固过程中形核和长大与再结晶过程中形核和长大主要区别是什么?简述再结晶过程中核心的产生方式。(12)
5.简述菲克第一定律和菲克第二定律的含义,写出其表达式,并标明其字母的物理含义。(12)
6.简述晶界和晶粒大小对多晶体范性变形的作用与影响。(12)
7.什么是一次带状组织和二次带状组织?分析一次带状组织和二次带状组织形成的原因。(12)
8.画出Fe-C相图,标明Fe-C相图中各点的温度和含碳量。(12)
9.简述固态相变的一般特点。(12)(统考生做,单考生不做)
10.简述凝固过程的宏观特征,叙述凝固过程中晶体成长的机理。(12) (统考生做,单考生不做)
11.什么是固溶体?影响固溶体的原因有哪些?固溶体与其纯溶剂组元相比,其结构、力学性能和物理性能发生了哪些变化?(12)(统考生做,单考生不做)
12. 列举三种增加凝固过程中核心数的方法,简要分析其增加核心数的原因。(12)(统考生做,单考生不做)
13.简述含碳量为0.25%的钢的结晶过程和固态组织转变过程。(12)(统考生做,单考生不做)
14.简述连续脱溶和不连续脱溶的含义。(12)(统考生做,单考生不做)
15.根据缺陷相对与晶体尺寸和其影响范围的大小,缺陷可以分为哪几类?简述这几类缺陷的特征。(12)(统考生做,单考生不做)[/]


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