哈尔滨工业大学2011微电子与固体电子学

雨中奔跑的孩子

  哈尔滨工业大学2011微电子与固体电子学                           

考试科目：半导体物理                          报考专业：微电子学与固体电子学

考试科目代码：[ 406 ]

考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号.答在试题上无效.

题号

一

二

三

四

五

总分

分数

30

30

30

30

30

150分

解释下列名词或概念:

状态密度                                    6.  表面复合率

空穴                                        7.  准费米能级

布里渊区                                    8.  P-N结

陷阱效应                                    9.  光电导灵敏度                                          

非简并半导体                                10. 光生伏特效应

二.分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点

三   分析N 型衬底的MOS结构，在不同栅极电压VG下，半导体表面的电荷层性质，画出表面势和空间电荷分布图

四 分别论述杂质对半导体的影响

五、如图所示，厚度为d（>>file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/ksohtml/wps_clip_image-6449.png）的无限大的均匀掺杂N型半导体薄片，表面均匀光照（满足小注入条件），材料的吸收系数为α，载流子扩散系数和寿命分别为Dp和tp。

若光只在极薄层内产生非平衡载流子，对入射光有何要求？设表面非平衡载流子浓度为(ΔP)s试确定ΔP的分布；（15分）

file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/ksohtml/wps_clip_image-729.png

2、若光在体内均匀吸收非平衡载流子产生率为gp，并在上表面和下表面载流子的符合速度非别为∞和0，试确定非平衡载流子ΔP的分布。（15分）

luojun8678

难度果然不小啊