【讨论】组成原理单体多字和多体并行？

leiht

在唐硕飞的《计算机组成原理》中提到，增加访存速度的其中两种方式，单体多字系统和多体并行系统。
问1：如何形成单体多字系统？
我个人认为是增加了MDR的位数和增加了数据总线的位数。
问2：多体并行系统的高位交叉编码是什么样的？

z-Spark

[em:18] 我纯粹晕了。真的。

tr77229591

第一个是就如你说的。多体是多个字一起读，课本上有个图。。你认真看下就会啦

memorymyann

这个确实比较难理解。后来通过题目和别的书上看到的，我个人理解是这样，当然仅作参考。

以实际数据为例，这样比较容易理解，比如说某个存储体的有2个存储芯片，每个芯片的存储周期为100ns,如果你去读数据，如果你的数据按照这种放置方法，先放第一个芯片，放满后再放第2个芯片。那么你读数据的过程就是这样：

读0位置数据，等100ns，读1位置数据，等100ns读2位置数据。很容易理解。

但如果你换个方式来放，比如说我0位置是1号芯片起始，1位置是2号芯片起始位置，2位置是1号芯片第2个单元，3位置是2号芯片的第2个单元这样交叉来编址。再回忆存储周期的概念：其实从芯片中把数据读到缓冲区，再从缓冲区读到CPU，这个读的过程非常短，仅仅是个脉冲就可以解决的问题，但由于芯片的物理属性，你读一个芯片后，必须间隔一段时间才能去读。采用交叉编址后，你的读过程就像这样：

读0位置数据到缓冲区，40ns后，CPU取走了数据。这时1号芯片的100ns的周期还没过，不能去读，但幸运的是我们读的不是1号芯片，而是2号芯片，这样，我们就把2号芯片的数据读到缓冲区。过了40ns后，CPU取走数据，此时过去了80ns，我们只需再等20ns就可以继续去读3号位置数据，这样速度就比以前快了很多。

我个人理解，LZ可以仔细查查相关资料。

leiht

第一个疑惑稍解。
第二个多体并行系统的高位交叉编码的图看懂了，但感觉没有交叉。低位交叉编码有交叉，怀疑我的书是不是印错了，呵呵。