2014年上海交通大学874半导体物理与器件基础（完全版）

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2014年上海交通大学研究生入学试题

874  半导体物理与器件基础

1、         何为本征半导体，何为简并半导体，并简要说明本征半导体载流子的费米分布和波尔兹曼分布。

2、         什么是异质结，根据半导体的导电类型，异质结分为哪几种结构类型。简述赛贝尔效应。

3、         影响MOSFET阈电压的因素有哪些，提高N沟MOSFET的阈电压的方法有哪些。

4、         硅本征半导体在T=0℃ ，σi=0.01Ω•cm ，光学禁带宽度Eg=0.1ev，忽略迁移率与Eg随温度的变化，求300℃时的σ。

5、         硅PN突变结，ND=9×1014，NA=5×1017，n 、p区少子迁移率分别为460cm2/μ•s，550 cm2/μ•s .n，p区少子的平均寿命分别为5μs、

1μs。求（1）室温时空间电荷区的宽度。（2）PN结截面积为10-2cm2，PN结的电容。（3）室温时，外加0.5V的正向电压，求PN结的电流密度。

6、         （1）双极型晶体管基区内建电场及该电场对基区输运系数有何影响。

（2）NPN型双极型晶体管，电子在基区的寿命τpn=1μs，wb=1μm NE=2×1018cm-3, NB=2×1016cm-3  ,求室温时发射结内建电场的值和基区输运系数。

7、  n沟MOSFET，ND=1025/m3，NA=1022/m3，栅氧化层（SiO2）厚155nm。宽长比 W/L=20μm/2μm，当VGS=1.2V，VT=0.8V，VDS=0.4V时，求室温漏导电流ID和跨导gm。假设当Vds上升0.5V时，估计ID的值。

      今年的题目跟前几年基本同一风格，很规矩。题目难度不大，只要把以前的真题全部弄好，130+不是问题。

      我个人总结，874几乎每年有一个新的知识点，今年就是赛贝尔效应。大家复习的时候注意一点吧。

风清88

哥们 你真牛逼，话说我在准考证上打草稿，结果监考老师把我准考证都收去了[em:15]

坐我旁边吧

风清88 发表于 2014-2-28 08:17
哥们 你真牛逼，话说我在准考证上打草稿，结果监考老师把我准考证都收去了 ...

这不就跟作弊一样偷偷的么

风清88

坐我旁边吧 发表于 2014-2-28 18:17
这不就跟作弊一样偷偷的么

艾玛。。。。楼主我也考的874，集成电路专业，你考的哪个专业？

坐我旁边吧

风清88 发表于 2014-2-28 18:27
艾玛。。。。楼主我也考的874，集成电路专业，你考的哪个专业？

我考的电子科学与技术

风清88

坐我旁边吧 发表于 2014-2-28 23:33
我考的电子科学与技术

嗯