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[复试真题回忆] 2019年大连理工大学电气工程考研复试真题回忆

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发表于 2019-4-4 17:55 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
先说一下题型设置和分数配置
分数配置严格按照大连理工大学研究生院的招生简章如下图
即三门课分别占40分 40分20分
题型只有选择题和计算题。
选择题共24题,每题只有3个选项,1题3分:数电模电各10道,电机学4道。
大题共3道:数电10分,模电10分,电机学8分。
这个分配方式这几年没改变过,可以说,只要招生简章不变,这种命题配置不太可能变。
1.P型半导体中,少子是什么。
2. 求UAB
3.差分放大电路中的共模抑制比是什么(Acd与Avc之比的绝对值)
4.不含电容的单相全桥整流电路中,变压器二次侧电压为100V,负载电阻20Ω,求负载上的平均电流(4.5)
5.若在上题中,加入电容,但是电阻断路(即∞),求电容上的平均电压(141)
6.MOSFET和BJT相比,哪个输入电阻大
7.当三极管工作于截止区时,问两个PN结偏置情况
8.乙类功率放大电路特征(失真大,功耗低)
9.问图中反馈类型
10.若此图为微分运算电路,那么空白处填什么元件(电容)
大题:基极分压式共射放大电路,求静态工作点、用小信号分析法求Av、输入电阻。

数电:
1.十进制的45转为2进制
2.化简为最小项
3.一个直流电源,两个开关,一个灯,四者串联,问可用什么门来代替这两个开关控制灯的逻辑?(与门)
4.当A、B均为低电平时,求Q
5.RS触发器,R非(上面那个横不会打)=0   S非=1时,Q等于?
6.多谐振荡器输出的矩形波中,电平为低的时间长度公式为?
7.半加器内部结构(两个门电路)
8.输出结果与当前输入和当前电路状态均有关的电路称为?(时序逻辑电路注:仅与当前输入有关的称为组合逻辑电路)
9.对于边沿触发的RS触发器,给出R、S、CLK的波形图,求某一时刻Q非的值。
10. (此图题中已经给出)共阴极数码管,若要显示“6”,那么e管控制电平为(高电平)
大题:下降沿触发的主从JK触发器,给出J、K、CLK波形,画输出波形(没有涉及主从JK触发器的一次变化问题,考的就是很普通的情况)

电机学:
1.    三相双绕组变压器,容量为30000,变比为60/10.5 ,求I2N(具体容量和变比忘记了,这里乱写的)
2.    他励直流电机,电枢回路中,串联的电阻越大,机械特性越?(软)
3.    两个磁路,除了材料以外完全相同,磁路A磁导率大于磁路B,那么A磁路的磁阻和B磁路的磁阻哪个大?
4.    凸极同步电机方程是什么(电机学书 P169 公式5-17)

大题:书P109例题4-2 ,题干中只是数换了下,求同步转速n1、输入有功功率P、额定转矩、额定电流。

总的来说,难度都不高,更偏向于对于结论的掌握和应用,对原理和成因的掌握要求不高。而且三道大题的内容应该没变过,模电考基极分压共射放大,数电考JK触发器,电机考对于例题4-2的改编。因此希望能仔细分析一下上面提供的题的难度水平,对难易程度有所拿捏,复习过程中有选择的看,不必刷所有课后题。
虽然题型简单,但是还是能靠细节拉分。如模电中:题1问的是少子、题2中直流电压源是上负下正。数电中:题4中是或门、题9问的是Q非的结果 电机学中:题1问的是I2N。虽然这些点看起来很明显,但是放在试卷上还是比较容易忽略的。



来源: 2019年大连理工大学电气工程考研复试笔试回忆
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