2019年清华大学微电子初试真题回忆（832）

哈2994551392

考完试之后出去旅游了一趟，趁着还没忘真题，赶紧来这里写一写，供学弟学妹参考一下，2019年的832考题可以说是近十年来最简单的一次，真题重复率很高，没有偏题怪题。总体考察半导体物理器件，模电，数电三门课程，各占50分，今年一共有8道题目。
第一题是考察pn结电流（20分)求正向电流1毫安时的外加电压，在2010,2015年考察过此原题。第二题是场效应管Id电流相关（30分）分为4问，第一问是求w，第二问求饱和状态下的Id，第三问求非饱和状态下的Id，第四问求考虑饱和速度下的Id和沟道中最大电场，在2011-2018每年都考察过这道题。以上是半导体物理器件的50分，相比17年和18年疯狂考察半导体物理的知识，今年出题的老师简直宅心仁厚。第三题是模电的基础填空题（17分)有自激振荡条件，负反馈组态，滤波器选用，BJT三种组态等，题目几乎和2010和2016年差不多。第四题是一道基础共源放大题（13分）第一问求两个场效应管工作在什么区，第二问求输出阻抗，带宽增益积，输入阻抗等，这道题跟2016年的那道模电题有相似之处。第五题是运放计算题（20分）第一问简答理想运放的参数指标，第二问计算电压表达式，第三问忽略一个电阻变为积分电路，第四问求电压。此题在2015和2017年考察过，稍有变化。以上是模电的三道题，主要考察mos管放大和运放计算，2019年数电变化稍微大一点，摒弃以前传统的数制码制+卡洛图+门电路画图，变为了第六题（25分）简答题，问到了竞争冒险的产生，用4个与非门设计异或门，格雷码和8421转换，FPGA的中文解释和它含有的单元等。第七题是传统的施密特触发器题（10分)求正向反向的阈值电压，想必大家都烂熟于心。第八题是逻辑时序电路的分析（15分）基本的计数器分析，注意要把非循环状态考虑进来，在2010,2013,2015和2018都考察过类似问题。以上是数电内容，也不难，估计今年832会有很多120+的选手，我等只能听天由命了，为这场考试准备了小半年，我看到清华的考研的神秘性，几乎没有信息来源，前几年的报考人数，录取情况都没有明确的公布，真题也是花了好几个月拼拼凑凑弄到的，不以成败论英雄，初试到此结束了，坐等2月中旬出结果吧～～～～～一只坐在工作室喝咖啡的大四狗。
来源: 2019清华微电子832真题回忆

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北交孙笑川

楼主能交流一下么

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哈2994551392

北交孙笑川 发表于 2019-2-22 13:20
楼主能交流一下么

行啊，看我名字吧

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