2019上交874真题回忆

lesvian · 发表于 2018-12-24 06:43

刚考完，所以尽可能多回忆一些以便帮到下一届学弟学妹。可能有些地方记错了，但八九不离十
第一题。1.有效质量的意义是什么。
2.E(K)是三维的k波矢平方相加，对应Kx方，Ky方，Kz方的系数分别为a，b，c。问能否找到一个方程能替换牛顿定律
F=m*(dx关于dt的二阶导)。其中m为惯性质量，F为外力。
第二题。对于一个平面二维晶体,
E(k)=h/2m*（Kx^2+Ky^2）,问二维的状态密度公式。
第三题。1.什么是本征半导体。什么是杂质电离能。
2.有一块n型硅，设在温度为300K时，
电子的有效质量=m0，求当Ef=0.5（ED+Ec）时的施主杂质浓度。（假设施主杂质电离很弱）
第四题。1.什么是准费米能级
2.试推导非简并条件下的爱因斯坦关系式。
第五题。什么是肖特基二极管，什么是霍尔效应。
第六题。已知一个pn突变结。结面积为0.0001平方厘米，NA=10的18次，ND=10的16次，空穴在n区的迁移率为500V每平方厘米，对应的电子在p区为180（可能两个数据记反了）。两种载流子寿命均为一微秒。1.求反向饱和电流及当正向电流为1mA时的电压大小。2.求在施加正向电压为0.5V时的势垒电容
第七题。一个铝栅P沟道mos管，告诉了你栅氧化层厚度120nm及带电量及介电常数，N型硅衬底掺杂浓度，介电常数。Al-SiO2电势差为-3.2V,硅的表面势为（3.8+X）V,X为费米势。1.问阈值电压是多少。2.当VGs为-4V时，W为300nm，L为10nm，空穴迁移率为230，没有告诉你VDs,问漏电流大小以及跨导。也是我觉得这次最难的一题，因为考察了好多点，和去年的题目比好像难了很多，我自己也因为当时复习这一块没多少头绪，只是跟着真题，所以很多细枝末节的东西没看到，做这题有点懵。
第八题。1.PNP管有哪几种工作状态
2.画出均匀基区少子分布图，一个是发射结集电结都零偏，一个是发射结正偏，集电结反偏。
3.证明缓变基区晶体管的发射效率可以由方块电阻表示的那个公式，以前零几年的时候考过原题，书上也有证明。
4.一个基区杂质浓度呈指数分布的缓变管，已知
E=kT*基区漂移系数/(q*WB)注意这里没有书上的负号,告诉你WB，电场大小为500V/cm,以及靠近发射结一端的基区杂质浓度，问靠近集电结一侧的基区杂质浓度。
这就是这次的题目，个人感觉就第七道长得怪了点，其他的都还是蛮常规的。我大概从九月中旬开始学习874，感觉微电子器件自始至终都是一块心病，不管是从书的量或者是难度来说。后期直接破罐破摔，只看真题和网上有答案的课后题，其实说实话考试前我都没搞清楚mos的小信号模型咋画，只知道书上的那三个图，要是再多连几根线加个电阻啥的估计就直接尬住。哈哈但都无所谓啦，毕竟他没考。
希望我的回忆能对学弟学妹有帮助。然后我想说的是，我由衷地希望明年也有人能够做一份尽量完备的2020回忆版，上交题目自己是不外流的，只能靠回忆版。越详尽的回忆就越能帮助到自己的学弟学妹，尤其是微电子器件这方面，虽每年都说题目相对固定，套路死，但万一出啥状况换谁都顶不住

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