2018年北京大学微电子学与固体电子学专业真题回忆（909）

木手绘青云 · 发表于 2017-12-25 16:33

写在前面：
本人辞职考研党，复习时间不是很充裕。考完的感觉就是专业课本身不难，历年的试题重复率很高，但对基础的要求也很高。建议多看课本，对里面的推导要熟。推倒时对p型和n型半导体都要熟悉。
考完数学爆炸，专业课虽然都回答了出来但是能不能过线还是未知，来攒个人品。希望能对大家有帮助。
言归正传，下面是我能记得的题，建议结合历年真题一起看，可能有疏漏或错误，仅供参考，还请谅解。

一、名词解释
受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎（还有两个记不清了，历年真题中可以找到）

二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下
1.说明A、B半导体的类型，并说明原因
2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么

三、题干给出了两种材料（n型Eg较窄，p型Eg较宽）的能带图，画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图
1.无外加偏压
2.施加反向偏压Va

四、p-mos管（n型衬底）中，Wm<Ws，SiO2层厚度及介电常数已知，
SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布
1.写出平带电压表达式
2.画出平带时的能带图

五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂，浓度为Na，Nd
1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度
2.画出正偏时I-V曲线
3. Na，Nd很小时，I-V曲线与理想曲线有什么区别

六、同时在Si中掺入Na，Nd，Na>Nd
1.写出电荷守恒表达式
2.写出低温区Ef与T的关系
3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线

来源: 2018北大半导体物理（909）考题回忆（供参考）

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