回顾一下前天的笔试，半导体器件以及微型计算机原理

微电子考研

器件部分
一、简答
1，当MOSFET进入饱和区工作之后，漏电流发生不饱和现象，解释其中的原因。
2，非简并半导体的热平衡判据是什么？物理意义？
3，BJT的特征频率和截止频率。
二、画出正偏的PN结能带图以及相应的I-V特性曲线。
三、对于PP+结，已知净掺杂浓度分别为10的20次方每立方㎝和10的16次方每立方㎝，则两边的电位降落时多少？
四、推倒Sah方程，验证线性区跨导和饱和区电导的关系。
五、已知Si  PN结变容二极管······最后求 分别在8V和12V时的势垒电容和空间电荷区宽度以及最大内建电场的值。（这题就是工大2008和2009年半导体物理和器件初试真题里面的那道器件部分的计算题）
微机原理部分
一、填空题
总共20个空，几分钟之后可以填完，太多了很杂，我记得不太清楚了，但是我想说，如果只是按照工大要求的那样看清华大学出版社戴梅萼编的那本书是远远不够的，他的书里面没有讲到进制转换以及微机系统组成这些基本内容，但是填空题里面考了很多，所以学弟学妹们一定要看一看其他的微机原理参考书。
二、选择题
6个题总共18分，很基础，看书不要往难的地方看，复试只考基础的，例如：偏移地址是2010H，段地址是2000H，那么物理地址是什么？下面四个选项，弱智都会的题，考的就是这些。对了，第5题是连线的题，难度就像你在7岁的时候做下面这道题：左边一列一次是1、2、3、4  右边一列是乱序的一个苹果两个苹果三个苹果和四个苹果，然后你要用线把他们连接起来，哈哈 就是这么简单。哦，对了，还想起来一道题，是有关外设编址方式的，图给你画出来了，问你这种硬件联系下这个外设的地址范围是什么？
三、指出错误并改正（总共就6个题，其余想不起来了，难度都很小）
OUT 255H，AL   这条语句错在哪里？改正
MOV [BX]，[AX]  错在哪里？改正
IN AX,BL  错在哪里？改正
记得还有一个是没有错的好像是  MOV AX ，[BX][SI]
四、简答
微型计算机系统、单片微型计算机、微处理器、微型计算机主机 它们之间的关系是什么？
五、简答
（这题我不会做，15分直接扔了，因为复习的时候没有仔细看后面的并行接口）
问的是具有中断功能的可编程并行接口有哪五个部分组成？分别简述各自功能。
总结：器件就看孟庆巨的那本就可以了，微机基本可以不用看工大指定的参考书，因为最后的考试根本和奔腾处理器一点关系都没有，而戴梅萼的那本书基本都在讲奔腾怎么怎么样，后面的中断、串行接口、定时器、AD/DA转换根本一点边都没沾，就考了一个并行接口的内部组成，所以这些外设的连接方式根本不用看，不考。明年换的话也就是换成其他的外设内部结构，他们的级联方式还是别看了，浪费时间。

微电子考研

目测，我这帖子要火啊，自己先顶一下