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《模拟电子技术基础》8OpKIc1Y f%Yk
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绪          论
~2s'n/Z"O 一、课程概述
;Uz\ aO 1. 课程的任务
*o-jW']K*J2\P 2. 课程的内容6[T-?(ax ?K
3. 课程的作用;q5x_'D9b/D
p0h+]O
二、教材与参考书2U0g?Jr9e
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1. 教材)jpp9il)lbs6m
          l《电子线路基础》高文焕 刘润生 高教出版社  1997hv$l Cb@K
l《模拟电路的计算机分析与设计-spice程序应用》高文焕 汪 蕙 清华出版社 1999
y;e] B/X&CS9n#E#O9e 2. 参考书$U-UH@0Q9P2b1j:F
          l《电子线路》线性部分(第四版)  谢嘉奎  高教出版社         1999
;_h%ne"c'd? l《模拟电子技术基础》(第三版)  童诗白  高教出版社         2001.1*L+@%J{]%n
      l《电子电路分析与设计》(第2版) Donald A.Neamen 清华出版社(英文影印本)'I.mxbYE\!a!{
三、模拟电路课程的几个问题                                                   
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F$H1^4d5R 四、怎样学好这门课
df)oa+g 五、成绩考核与评价问题QT$uA%w1`0z T5Q
六、教学中的几项规定A}W+P~ e$}U O:L
七、变量符号规定               
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}+f[F3N(Db 第1章半导体器件基础Z8s/H%L"f^QA6LVJ
1.1半导体中的载流子及其运动
8n!iZ3Mz(k(y 1.1.1 本征半导体中的载流子                     
_x(yK@*M;j7K         1. 晶体共价键结合       
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X'GbM D(F           2. 征半导体中的两种载流子－电子与空穴
5{"Q Jg$b V#^#xy4b#{ （1）无激发下的本征半导体
*S_O%W1j)}         （2）本征激发产生电子与空穴
+H.Qe3Zr)c:o!}8WvR         （3）本征浓度
4u/Q Auj} ni = pi = A0 T3/2 e-Eg0 / 2KT     (1.1.3)6R8jR5go'oBv
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1.1.2杂质半导体中的载流子2PsNmV!f*f$`
        1. N型半导体
`+b*M R0R ^T{ooG l N型半导体的形成
*`z6KxMbM7Y#I)W l施主杂质   
yz:R@7k+XD!x N.V l 带电粒子  
T r7X'A%]1~gp`} l“多子、少子”的概念a+e$J"L7oO
l电中性 %E)['|4~A Q%? l
l少子对温度的敏感性
[:w`!o![lP[ 2. P型半导体
A_!W&W?+?2j           l P型半导体的形成
4kg/}!r
ER l受主杂质
,IPk,vup H l带电粒子
?yO`9e8s[ l多子和少子        
*Rm:^v|(Z1d bV       l电中性  p = NA  +  n
;U3S5v!b` l少子对温度的敏感性:o%K1ro2hP

8vhD]Wj9@Q%K!B
Xk)B$zT2A 1.2  PN结
4V:e^']E4eO 1.2.1 PN结的形成0mmhR,Hj:r:Q
       
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tC$v4J\n

9uW/jWpk
,ct+]2N$|6^*x a:Hj(I 1. 多子扩散产生空间电荷区
yKk{3h'm Nu
2. 内电场产生载流子的漂移运动e5Y Mx1P R)e
3. 扩散运动和漂移运动的动态平衡/s#jkD
a:H;X!a
（1）电阻,tJr
_v&?1z-|? R
          （2）接触电位差
u nxY}N,]/e/B                  l方向/J"@+Ae C9|^YyX
                 l大小
6V#qVL hp:{[$U                      7[m,AN9aX*G&w
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;`CH^/^!?'| 1.2.2  PN结的单向导电特性rn0BqcR/L
        1. 外加正向偏压¾ PN结导通*nY J!e(ibBM
l平衡状态：WD；Vj；E内                           
2?rmI
K} l外加正向电压nD的作用
g]Iz+U7s4m)N 结论：
.S/ufpK"yZ!h T 外加正向电压，PN结导通(低阻)，iD >0#|Q2e+y0|
r8T?+o(r.W \9X0Ru
v7M3^R*i'cZ2f

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_R&f:c$Z8Q$\5k9T s^#eD}$WO"Q

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B,`.qZ!a1RJ(X*?zP 2. 外加反向偏压¾ PN结截止,rM8d!rj,sj
l平衡状态：WD；Vj；E内*Ty:F d P;?)}
l外加反向电压nD的作用G+qNs-W
l少子漂移产生反向电流
!vk0gKKx J bGXZ'xZ
        结论：
&s*\H0x"k7Y0L \-tr!V{ 外加反压，PN结截止（高阻），iD »02KUL)S.{xF
6}6vqYx%j;T,H3]+a
   小结：
"Z(JB2x!l0p~| 外加正向电压，PN结导通；外加反压，
Dp7]S!fK&f+[ PN结截止。单向导电特性。-v YTwb)UW0v

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x#?.N}.P~5q(Rn
W*jIL)Ys9E WT3H4d t(d9OR
【补充思考题】
i8Go}x.A!Q 本征半导体电阻的温度系数是正的还是负的？%w-dz}Vq/Y7cZ
杂质半导体电阻的温度系数是正的还是负的？
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Nsq4jzc/K'?,H %[s)d'ZD(n(kx

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