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复旦微电子考研心得复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下!
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介绍下心得和情报吧!复旦没有想象的那么难,但也不简单。分析一下,复旦专业课最高分132,还是一个哈工大的人考的,所以专业课难大家都难,复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大,但同样不能忽视专业课的复习。考复旦,基础课一定要好,英语70+数学130+,专业课考个110左右,这样总分就差不多了。
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1.复旦07年设计的复试线是343,比06年的369低了20多分吧!今年题目比较难。
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2.大家不要轻信网上买的复旦资料,我买了一份,200块,拿到手一看一无是处,我复习的时候根本就没有看买的那些资料。
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3.复试非常重要,今年有个360+的被刷了。专业背景很重要,所以不鼓励跨专业。
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下面谈谈专业课复习
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1)模电 看的是(童)的书,错误很多,我是都看完了,课后习题全做了。又听网上介绍买了一本清华出的习题集(唐竞新),作完后感觉没什么用处,题目重复很多,还超范围,可以说完全没必要买这本习题集。大家把童的书多看几遍就没问题了。今年听说复旦出了一本模电,没有看过,不评论。
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2)数电 看的是复旦的教材(陈光梦)和配套的教学参考,这本书写的非常不错,内容和讲解都很详细,错误只有一两处吧!课后习题当然是全做了,06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像,07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。读看几遍吧,基础差的可以找别的数电来加强一下。
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3)集成电路部分 说真的,这部分内容我还是不知道怎么考的,非常乱。06年出了一道VHDL的题,07年一道版图,一点规律都摸不到。要说经验,先把考试大纲上要求的概念背下来吧,再看看CMOS,CMOS上的几个公式非常重要。07年模电部分的一道大题,差分放大,恒流源的电流没有直接给出来,而是用CMOS上的电流公式求解。解出来电流,整个题就非常简单了。题目很简单,但是没看过CMOS,电流不会求,这个题得不到分了。CMOS的内容还是有点多,我有复旦老师总结的10多页资料,记下来就好了。ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了,听听工大自己开的课。05年考的判断电路故障的一维通路敏化法,工大老师就讲过。
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总体来说,大家先树立考复旦的信心!付出总有回报,坚持到底,希望明年能见到工大的学弟学妹^_^
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心得之二:
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总体感觉复旦的微电子不论初试还是复试还是挺公平的,我认识一个那边的研究生,他本科就在复旦读,他说他们考研之前专业课的老师是不会划题目划范围的,所以他们在专业课上的优势不会有其它一些学校那么强,当然由于他们有本科笔记以及期末考试这些原因,绝对的公平是做不到的。
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下面就具体说一下吧。
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公共课就不多说了,主要讲下专业课。复旦微电子专业分设计方向和工艺方向,今年设计方向复试线是343,工艺方向是353,虽然设计的线比工艺线低了10分,但设计绝对是比工艺难考得多的,工艺初试时考半导体物理和半导体器件,而设计则要考模电,数电,模拟集成电路,数字集成电路,专用集成电路。其中后面三门课是校外考生最担心的。
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大家要考设计的话就要好好衡量后再作决定。
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模电在今年八月分以前指定参考书是童诗白的模电,八月分后是童诗白或者陈光梦的模电,陈光梦的模电是复旦自己出的,比起童诗白的那本要薄许多,假如大家觉星童诗白的那本太厚了可以看另外一本,我看过一下内容,考试范围应该没超出其讲的内容。总的来说,大家要是大二时好好学过模电的话是不用太担心的,模电每年考试的内容大概是概念题,计算题(通常是多级放大电路的计算),然后是含有运放的电
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路分析,有时也会出差分电路。当然这只是大概来讲,大家复习时要把考试大纲上列的内容都复习到。
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数电是大家要注意的,指定参考书是陈光梦编的《数字逻辑基础》,即使你大二时数电学得相当好也要当心,因为它考的比我们学的前进许多。例如今年的数字电路部分有这样一些题目:
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设计一个三人表决电路,两人以上同意即通过.
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给出一个逻辑函数 分别用4选一 八选一 与非门实现
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用全加器实现四位数的加减法运算
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选用D触发器组成可以自启动的扭不形6进制计数器.再用扭环形计数器实现100100序列
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检测101的序列检测器。
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大家可以看出第一,二题大部分学过数字电路的同学都可以很快做出,但后面的要是不经过复习是很难做出来的。
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所以大家要听LZ的话,课后习题要好好做。最好做一下前几年的复旦电子线路的题目,那时的数电更加难呵。
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模拟集成电路用的是UCLA教授拉扎维的《模拟CMOS集成电路》,这本书是模拟集成电路教材中的经典。注重培养读者设计电路时的直觉,因此其对一些问题的论述好是奇妙。再加上西安交大的中译版译得很不错,因此他是初学者必看的一本书。不过对于考研如我辈者,要把他啃下来甚是费劲,从05年开始加入了这一内容,05考的是gain boost中的一道例题,06考的是二极管连接作为负载的共源级,负载器件旁边并联了一个电流源,这也是书上的一道例题,可今年考的源跟随器加电流镜似乎在书上找不到对应例题,而且这题里有许多小题,最后一小题还考到了频率特性那一章中求-3db点的内容,所以要拿高分实在不容易呵!
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数字集成电路指定参考书是UC.Berkeley教授Jan M.Rabaey写的《数字集成电路设计透视》,这是数字集成电路设计的一本经典教材,现在已出了第二版,复旦指定的是第一版,而且是英文版,由于现在第一版已经不好找了,而且第一版没有中译版,所以大家可以可以看第二版,电子工业出版社出了它的中译版。我看了一下,第二版中与我们相关的改动主要是器件模型方面,他在一些推导中考虑了短沟道下的速度饱和效应,因此管子在饱和时沟道电流不遵循平方律,而改以另外一个公式。所以推导有时看起来会觉得挺复杂的。还有的是第二版把ECL,TTL的一些内容删除,只讨论MOS。但实际上05年以来,数字集成电路部分没考过计算题,所以用不到公式,要是以后用的话,大家用平方律的公式就好啦。其它的由推导得出的一些结论两版基本一致。
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这一部分05年考的是CMOS的latch up效应,06考的是传输管逻辑的内容,今年考的是CMOS逻辑,其中还考到了版图,不是微电,电科出身的同学要注意呵。